ICマッチング情報 (ルネサス エレクトロニクス株式会社)

V850E2/FK4マイクロコントローラ

【概要】 詳細はこちらをご覧ください (ルネサス エレクトロニクス株式会社のホームページにリンクします)
動作電圧: 3.0 - 5.5 V
最高動作周波数: 80 MHz
ROM容量: 768 KB/1 MB/1.5 MB/2 MB フラッシュ・メモリ
RAM容量: 64/80/112/144 KB
パッケージ: 176ピン・プラスチック LQFP (24 x 24)

評価条件

実験IC : uPD70F4010

1. 実験回路

IC名 uPD70F4010M1GM
V850E2/FK4(M1)
VDD電圧 +5.0V

2. 提案回路定数( Rd=0Ω, C=0pF(N.M) )での回路特性例

VDD(V) 発振周波数の差
dF/F(×10-6)
負性抵抗
-R(Ω)
ドライブレベル
DL(uW)
5 +67 520 130

弊社評価製品

形名:NX3225GA  周波数:20.000MHz  負荷容量:CL=8pF

補足事項

  • 負性抵抗
    水晶振動子を発振させる能力を推し量る為のものであり、起動不良を未然に防ぎ、安定した発振を得る事を目的として設定します。
  • ドライブレベル(励振レベル)
    水晶振動子の動作状態における電力又は電流のレベルを表します。
    水晶振動子の規格を超えている場合、周波数の連続性が失われたり、水晶振動子の実効抵抗が大きくなる場合があります。
  • 負荷容量
    発振回路において、水晶振動子の両端子から発振回路側をみた実効的な静電容量です。
    水晶振動子の発振周波数は負荷容量と水晶振動子固有の等価定数で決定されます。

ご注意

上記の評価結果は、部品を選択いただくための参照情報です。お客様の実際の回路基板レイアウトや定数、周波数等により特性は異なりますので、設計はお客様の評価により決定頂きたくお願い致します。お客様がご使用になる際の適正な水晶振動子につきましては、必ず弊社にご確認願います。また、評価製品以外での対応も可能ですので、お問い合せ下さい。

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