晶体振荡器 TCXO

NT5032BB

RoHS Compliant Directive 2011/65/EU Directive(EU)2015/863

Pb free

用途

・STRATUM3
・基站
・基干网络设备

特征

・输出规格:CMOS
・低消耗电流 : Max. 8.0mA
・尺寸:5.0 × 3.2 mm, 高度:1.8mm
・小型
・4个引脚

规格 符号 单位
额定频率范围 fnom
10 ≦ F ≦ 40
MHz
尺寸大小 (L×W×H) -
5.0×3.2×1.8
mm
电源电压 VCC
+3.3
V
输出负载条件 -
CMOS : Typ. 15 pF
Clipped Sine : 10 kΩ // 10 pF
-
消耗电流 ICC
Max. 8.0
mA
储存温度范围 Tstr -40 to +105
工作温度范围 Topr
-40 to +85
频率允许偏差 Δf/fnom Max. ±4.6 ppm
频率温度特性 Δf/f
Max. ±0.28
ppm
输出电压 - CMOS : Max. 10 % VCC (VOL) / Min. 90 % VCC (VOH)
Clipped Sine : Min. 0.8 Vp-p
-
频率可变范围 Δf/f Min. ±5.0 ppm
上升时间 ,下降时间 tr/tf
CMOS : Max. 8
ns
波形对称 -
CMOS : 45 to 55
%
规格料号 -
CMOS : NSC5119Q
Clipped Sine : NSC5119P
-

如咨询・采购本网站登载的标准规格品时,请告知“型名”、“频率”和“规格料号”。
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外形尺寸

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