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晶体振荡器 TCXO
NT7050BB *NRND
用途
・STRATUM3
・基站
・基干网络设备
特征
・输出规格：CMOS, Clipped Sine
・低消耗电流 : Max. 8.0mA
・尺寸：7.0 × 5.0 mm, 高度：2.0mm
・小型
・4个引脚
| 规格 | 符号 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|
| 额定频率范围 | fnom |
|
MHz | |
| 尺寸大小 (L×W×H) | - |
|
mm | |
| 电源电压 | VCC |
|
V | |
| 输出负载条件 | - |
|
- | |
| 消耗电流 | ICC |
|
mA | |
| 储存温度范围 | Tstr | -40 to +105 | ℃ | |
| 工作温度范围 | Topr |
|
℃ | |
| 综合频率允许偏差 *1 | Δf/fnom | Max. ±4.6 | ppm | |
| 频率温度特性 | Δf/f |
|
ppm | |
| 输出电压 | - |
CMOS : Max. 10 % VCC (VOL) / Min. 90 % VCC (VOH) Clipped Sine : Min. 0.8 Vp-p |
- | |
| 频率可变范围 | Δf/f | Min. ±5.0 | ppm | |
| 上升时间 ,下降时间 | tr/tf |
|
ns | |
| 波形对称 | - |
|
% | |
| 规格料号 | - |
|
- |
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*1. 综合频率允许偏差包含频率温度特性、初期偏差、电源电压频率变动特性、负载频率变动特性和老化率（15年）。
外形尺寸
